内存时序是什么意思？

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，简称为CL值，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。目前，一般好一些的内存条，在参数中都会标注CL值，如下图所示。

内存参数

当然，也有不少内存，在参数中并没有时序这一项，而是标注在内存条的标签上。此外，内存时序有些也可以在电脑BIOS中手动设置。一般在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”进行相关设置。

内存时序高好还是低好？

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

一般来说，在保证系统稳定性以及同频率的前提下，时序越低，性能越好。

总的来说，时序是决定内存性能的一个参数，但并不是说时序越低，性能就一定越好，它还与内存容量、频率有关。只能说，在相同容量和频率下的两条内存，时序越低，性能就越好。